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日本HORIBA微型高通量光譜儀
日本HORIBA微型高通量光譜儀

微型高通量光譜儀VS20-VIS

HORIBA 為各種應(yīng)用設(shè)計和制造 190 nm 至 1700 nm 的微型高通量 OEM 光譜儀。得益于低雜散光像差校正的凹面全息光柵,VS20-SYS 平臺在 1.68 x 1.87 x 2 英寸的占地面積中提供了非常可靠和堅固的光譜儀。

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產(chǎn)品詳情

微型高通量光譜儀


        HORIBA 為各種應(yīng)用設(shè)計和制造 190 nm 至 1700 nm 的微型高通量 OEM 光譜儀。得益于低雜散光像差校正的凹面全息光柵,VS20-SYS 平臺在 1.68 x 1.87 x 2 英寸的占地面積中提供了非??煽亢蛨怨痰墓庾V儀。


        VS20 OEM 光譜儀可以在傳感器、入口、狹縫尺寸、電子板、接口等方面完全定制。 


對于 OEM 工業(yè)應(yīng)用

  1. 熒光

  2. 透射率和反射率

  3. 例子:

  • 半導(dǎo)體制程檢驗(yàn)

  • LED測試

  • 顏色測量

  • 環(huán)境監(jiān)測

  • 食品和飲料安全

 

特征

  • 非常緊湊和堅固

  • 具有成本效益的 OEM 解決方案

  • 量產(chǎn)能力

  • 各種波長范圍 UV/VIS/VNIR/NIR

  • 低雜散光

  • 可根據(jù)客戶要求定制

 

量子效率

1.jpg

2.jpg

 

OEM 光譜儀選擇指南

PDA微型光譜儀VS70-PDA 1.jpg


規(guī)格

一般光譜儀規(guī)格
光譜覆蓋390 – 770 nm 可根據(jù)要求擴(kuò)展至 UV 或 NIR 范圍
 
光譜儀分辨率<4 nm,50 μm 狹縫寬度(可提供更窄的狹縫)
光譜色散56.51 納米/毫米(平均);0.44 納米/像素
焦距20 毫米
選項(xiàng)選擇不同的高級傳感器:CMOS-APS*、CMOS-PPS** (PDA)、可選
CCD 可應(yīng)要求提供
輸入端口:SMA,可根據(jù)要求提供其他選項(xiàng)
F/#~ F/2.7
波長準(zhǔn)確度<0.4 nm(使用多區(qū)域波長校準(zhǔn))
雜散光< 0.15%
軟件用于初始評估的 LabVIEW? 采集軟件(為軟件集成提供的 DLL)
可滾動
檢測器選項(xiàng)和規(guī)格
探測器類型Hamamatsu CMOS-APS 線性圖像傳感器
S13014N 具有主動像素結(jié)構(gòu)和全局
電子快門
其他探測器選項(xiàng),
例如
具有無源像素結(jié)構(gòu)的CMOS-PPS
和高達(dá)數(shù)個
100,000,000 電子和背
照式 CCD 的全阱,可
根據(jù)要求提供。
請參閱下表中的一些選項(xiàng)
。
探測器傳感器格式512 x 1 像素
探測器像素尺寸14 微米 x 200 微米
檢測器QE參考下圖
滿井容量100,000 eˉ(典型值)
80,000 eˉ(最小值
讀出噪聲16 eˉ(典型值)至
20 eˉ(最大值)
最大頻譜率44 光譜/秒
模數(shù)轉(zhuǎn)換器16位
動態(tài)范圍 (FW/RN)7053:1
非線性<1%(校正后)
暗電流375 eˉ/像素/秒(典型值)
500 eˉ/像素/秒(最大值)
溝通USB 2
環(huán)境條件工作溫度 0°C 至 40°C 環(huán)境
溫度 相對濕度 <70%(非冷凝)
存儲溫度 -25° C 至 45° C
電源要求
AC/DC 電源(已提供)
90-264 伏交流電,47–63 赫茲
可滾動
一些 CMOS-PDA 選項(xiàng)(可根據(jù)要求提供其他傳感器)
傳感器類型S10113-256NS8378-256NS9226N-03S9227N-03
像素格式 25μm(寬)x 500μm(高)
x 256 像素
25μm(寬)x 500μm(高)
x 256 像素
7.8μm(寬)x 125μm
(高)x 1024 像素
12.5μm(寬)x 250μm
(高)x 512 像素
檢測器QE參考下圖


線性全井 (e-)~94M e-(典型值)~43M e-(典型值)~1.9M e-(典型值)~3M e-(典型值)
讀出噪聲 (e-)5200 eˉ(典型值)3370 eˉ(典型值)390 e-(典型值)290 e-(典型值)
根據(jù) CMOS-PDA 選項(xiàng),光譜儀外殼會略有不同
可滾動

*規(guī)格、外形尺寸和光譜儀外殼如有更改,恕不另行通知。運(yùn)行我們的采集軟件不需要 LabVIEW? 許可證。
*APS代表有源像素傳感器CMOS(埋入式PD,高靈敏度類似CCD)
**PPS代表被動像素傳感器CMOS(表面PD,大滿阱容量-取代NMOS-PDA)


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