微型高通量光譜儀VS20-VIS
HORIBA 為各種應(yīng)用設(shè)計和制造 190 nm 至 1700 nm 的微型高通量 OEM 光譜儀。得益于低雜散光像差校正的凹面全息光柵,VS20-SYS 平臺在 1.68 x 1.87 x 2 英寸的占地面積中提供了非常可靠和堅固的光譜儀。
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HORIBA 為各種應(yīng)用設(shè)計和制造 190 nm 至 1700 nm 的微型高通量 OEM 光譜儀。得益于低雜散光像差校正的凹面全息光柵,VS20-SYS 平臺在 1.68 x 1.87 x 2 英寸的占地面積中提供了非常可靠和堅固的光譜儀。
微型高通量光譜儀
HORIBA 為各種應(yīng)用設(shè)計和制造 190 nm 至 1700 nm 的微型高通量 OEM 光譜儀。得益于低雜散光像差校正的凹面全息光柵,VS20-SYS 平臺在 1.68 x 1.87 x 2 英寸的占地面積中提供了非??煽亢蛨怨痰墓庾V儀。
VS20 OEM 光譜儀可以在傳感器、入口、狹縫尺寸、電子板、接口等方面完全定制。
對于 OEM 工業(yè)應(yīng)用
熒光
透射率和反射率
例子:
半導(dǎo)體制程檢驗(yàn)
LED測試
顏色測量
環(huán)境監(jiān)測
食品和飲料安全
特征
非常緊湊和堅固
具有成本效益的 OEM 解決方案
量產(chǎn)能力
各種波長范圍 UV/VIS/VNIR/NIR
低雜散光
可根據(jù)客戶要求定制
量子效率
OEM 光譜儀選擇指南
規(guī)格
一般光譜儀規(guī)格 | |
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光譜覆蓋 | 390 – 770 nm 可根據(jù)要求擴(kuò)展至 UV 或 NIR 范圍 |
光譜儀分辨率 | <4 nm,50 μm 狹縫寬度(可提供更窄的狹縫) |
光譜色散 | 56.51 納米/毫米(平均);0.44 納米/像素 |
焦距 | 20 毫米 |
選項(xiàng) | 選擇不同的高級傳感器:CMOS-APS*、CMOS-PPS** (PDA)、可選 CCD 可應(yīng)要求提供 輸入端口:SMA,可根據(jù)要求提供其他選項(xiàng) |
F/# | ~ F/2.7 |
波長準(zhǔn)確度 | <0.4 nm(使用多區(qū)域波長校準(zhǔn)) |
雜散光 | < 0.15% |
軟件 | 用于初始評估的 LabVIEW? 采集軟件(為軟件集成提供的 DLL) |
檢測器選項(xiàng)和規(guī)格 | ||
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探測器類型 | Hamamatsu CMOS-APS 線性圖像傳感器 S13014N 具有主動像素結(jié)構(gòu)和全局 電子快門 | 其他探測器選項(xiàng), 例如 具有無源像素結(jié)構(gòu)的CMOS-PPS 和高達(dá)數(shù)個 100,000,000 電子和背 照式 CCD 的全阱,可 根據(jù)要求提供。 請參閱下表中的一些選項(xiàng) 。 |
探測器傳感器格式 | 512 x 1 像素 | |
探測器像素尺寸 | 14 微米 x 200 微米 | |
檢測器QE | 參考下圖 | |
滿井容量 | 100,000 eˉ(典型值) 80,000 eˉ(最小值 | |
讀出噪聲 | 16 eˉ(典型值)至 20 eˉ(最大值) | |
最大頻譜率 | 44 光譜/秒 | |
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 | 16位 | |
動態(tài)范圍 (FW/RN) | 7053:1 | |
非線性 | <1%(校正后) | |
暗電流 | 375 eˉ/像素/秒(典型值) 500 eˉ/像素/秒(最大值) | |
溝通 | USB 2 | |
環(huán)境條件 | 工作溫度 0°C 至 40°C 環(huán)境 溫度 相對濕度 <70%(非冷凝) 存儲溫度 -25° C 至 45° C | |
電源要求 AC/DC 電源(已提供) | 90-264 伏交流電,47–63 赫茲 |
一些 CMOS-PDA 選項(xiàng)(可根據(jù)要求提供其他傳感器) | ||||
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傳感器類型 | S10113-256N | S8378-256N | S9226N-03 | S9227N-03 |
像素格式 | 25μm(寬)x 500μm(高) x 256 像素 | 25μm(寬)x 500μm(高) x 256 像素 | 7.8μm(寬)x 125μm (高)x 1024 像素 | 12.5μm(寬)x 250μm (高)x 512 像素 |
檢測器QE | 參考下圖 | |||
線性全井 (e-) | ~94M e-(典型值) | ~43M e-(典型值) | ~1.9M e-(典型值) | ~3M e-(典型值) |
讀出噪聲 (e-) | 5200 eˉ(典型值) | 3370 eˉ(典型值) | 390 e-(典型值) | 290 e-(典型值) |
根據(jù) CMOS-PDA 選項(xiàng),光譜儀外殼會略有不同 |
*規(guī)格、外形尺寸和光譜儀外殼如有更改,恕不另行通知。運(yùn)行我們的采集軟件不需要 LabVIEW? 許可證。
*APS代表有源像素傳感器CMOS(埋入式PD,高靈敏度類似CCD)
**PPS代表被動像素傳感器CMOS(表面PD,大滿阱容量-取代NMOS-PDA)
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